Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
fabricant:
un demi
Définition:
Transistors bipolaires - commutation à haut courant BJT
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Polarité du transistor::
NPN
Catégorie de produit::
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage::
Le système de détection de l'émission
Courant maximal du collecteur CC::
6 A
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
50 V
Emballage / boîtier::
TO-252-3
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Gain Bandwidth Produit fT::
150 mégahertz
Configuration::
Unique
Le collecteur de tension de base VCBO::
60 V
Série::
2SD1802
Émetteur - tension de base VEBO::
6 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::
0.19 mV
Fabricant::
un demi
Introduction au projet
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